RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Gesamtnote
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
37
Rund um 22% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
24
16.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
20.0
13.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Rund um 1.51 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
29
37
Lesegeschwindigkeit, GB/s
24.0
16.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
20.0
13.8
Speicherbandbreite, mbps
17000
25600
Other
Beschreibung
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Taktgeschwindigkeit
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
4156
3170
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
INTENSO 5641152 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link