RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Porównaj
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
37
Wokół strony 22% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
24
16.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
20.0
13.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
37
Prędkość odczytu, GB/s
24.0
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
20.0
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
25600
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
4156
3170
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link