RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB vs SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
39
Wokół strony -8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.1
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
36
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
11.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2165
2696
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C8FE 2GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link