RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Confronto
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Punteggio complessivo
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
17
32
Intorno 47% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
22.8
10.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.4
8.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
17
32
Velocità di lettura, GB/s
22.8
10.8
Velocità di scrittura, GB/s
15.4
8.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
3391
2349
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB Confronto tra le RAM
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Segnala un bug
×
Bug description
Source link