Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB

Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB

Punteggio complessivo
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Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB

Punteggio complessivo
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Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB

Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    37 left arrow 41
    Intorno -11% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    16.9 left arrow 11.1
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    13.8 left arrow 8.2
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    25600 left arrow 10600
    Intorno 2.42 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    41 left arrow 37
  • Velocità di lettura, GB/s
    11.1 left arrow 16.9
  • Velocità di scrittura, GB/s
    8.2 left arrow 13.8
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    10600 left arrow 25600
Other
  • Descrizione
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    1348 left arrow 3170
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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