RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
41
Wokół strony -11% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
11.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.8
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
37
Prędkość odczytu, GB/s
11.1
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1348
3170
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Elpida EBJ21UE8BFU0-DJ-F 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link