Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB

Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB

Wynik ogólny
star star star star star
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB

Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB

Różnice

  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    37 left arrow 41
    Wokół strony -11% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    16.9 left arrow 11.1
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    13.8 left arrow 8.2
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    25600 left arrow 10600
    Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR3 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    41 left arrow 37
  • Prędkość odczytu, GB/s
    11.1 left arrow 16.9
  • Prędkość zapisu, GB/s
    8.2 left arrow 13.8
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    10600 left arrow 25600
Other
  • Opis
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
  • Taktowanie / szybkość zegara
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    1348 left arrow 3170
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania