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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Confronto
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Punteggio complessivo
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
17
45
Intorno 62% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
22.8
15.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.4
12.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
10600
Intorno 2.42 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
17
45
Velocità di lettura, GB/s
22.8
15.6
Velocità di scrittura, GB/s
15.4
12.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
25600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
3391
2925
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB Confronto tra le RAM
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB Confronto tra le RAM
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
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G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
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