RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Porównaj
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Wynik ogólny
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
45
Wokół strony 62% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
22.8
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.4
12.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
17
45
Prędkość odczytu, GB/s
22.8
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
15.4
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3391
2925
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905701-141.A00G 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link