RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Confronto
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Punteggio complessivo
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
39
122
Intorno 68% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14
9.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.0
5.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
39
122
Velocità di lettura, GB/s
14.0
9.4
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
5.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2489
1411
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB Confronto tra le RAM
Kingston KHX1600C10D3/8GXF 8GB
Corsair CMZ32GX3M4X1600C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
Kingston KHX1600C10D3/8GXF 8GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Kingston 9905403-038.A00G 4GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link