Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB

Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB

Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    39 left arrow 122
    Около 68% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    14 left arrow 9.4
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    9.0 left arrow 5.8
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    19200 left arrow 10600
    Около 1.81 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    39 left arrow 122
  • Скорость чтения, Гб/сек
    14.0 left arrow 9.4
  • Скорость записи, Гб/сек
    9.0 left arrow 5.8
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    10600 left arrow 19200
Other
  • Описание
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Тайминги / частота
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2489 left arrow 1411
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения