RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB
Confronto
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB
Punteggio complessivo
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Punteggio complessivo
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
37
Intorno -19% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.9
11.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.2
7.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
37
31
Velocità di lettura, GB/s
11.4
16.9
Velocità di scrittura, GB/s
7.4
15.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1683
3650
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-2400C11-8-SR 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C11 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
SK Hynix HMT41GS6MFR8C-H9 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link