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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Confronto
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
18.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
73
Intorno -152% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.2
1,423.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
73
29
Velocità di lettura, GB/s
3,510.5
18.5
Velocità di scrittura, GB/s
1,423.3
15.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
476
3784
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
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