RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
73
Wokół strony -152% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.2
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
29
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
15.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
3784
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair VS1GB800D2 1GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link