RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
45
Wokół strony 36% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.3
11.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
8.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
45
Prędkość odczytu, GB/s
14.3
11.6
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
8.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2227
2036
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link