RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Porównaj
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
13.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
68
Wokół strony -89% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
1,670.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
68
36
Prędkość odczytu, GB/s
3,554.9
13.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,670.7
10.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
513
2581
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link