RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Comparar
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Pontuação geral
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Pontuação geral
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
13.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
36
68
Por volta de -89% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.1
1,670.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
68
36
Velocidade de leitura, GB/s
3,554.9
13.9
Velocidade de escrita, GB/s
1,670.7
10.1
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
513
2581
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB Comparações de RAM
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Mushkin 994093 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link