RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Comparez
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Note globale
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Note globale
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
45
Autour de 36% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.3
11.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.1
8.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
29
45
Vitesse de lecture, GB/s
14.3
11.6
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
8.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2227
2036
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB Comparaison des RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston TSB16D3LS1KFG/4G 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link