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Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
比较
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
总分
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
总分
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
45
左右 36% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.3
11.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.1
8.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
45
读取速度,GB/s
14.3
11.6
写入速度,GB/s
10.1
8.5
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2227
2036
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905624-010.A00G 4GB
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
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G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
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