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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Confronto
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Punteggio complessivo
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
37
Intorno -12% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.5
11.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.8
7.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
10600
Intorno 2.42 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
37
33
Velocità di lettura, GB/s
11.4
18.5
Velocità di scrittura, GB/s
7.4
13.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
25600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1683
3341
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-2400C11-8-SR 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C11 8GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
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