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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Confronto
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Punteggio complessivo
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
37
Intorno -12% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.8
11.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.9
7.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
37
33
Velocità di lettura, GB/s
11.4
15.8
Velocità di scrittura, GB/s
7.4
11.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1683
2824
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-2400C11-8-SR 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C11 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
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