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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
总分
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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需要考虑的原因
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
37
左右 -12% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.8
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.9
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
33
读取速度,GB/s
11.4
15.8
写入速度,GB/s
7.4
11.9
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1683
2824
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Team Group Inc. UD5-6400 16GB
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
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