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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Confronto
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Punteggio complessivo
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
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Motivi da considerare
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.8
11.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.5
7.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
10600
Intorno 2.42 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
37
37
Velocità di lettura, GB/s
11.4
15.8
Velocità di scrittura, GB/s
7.4
13.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
25600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1683
3075
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-2400C11-8-SR 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C11 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB Confronto tra le RAM
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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AMD R538G1601U2S 8GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
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