RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Confronto
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
29
Intorno -4% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20
16.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.4
12.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
19200
Intorno 1.11 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
29
28
Velocità di lettura, GB/s
16.9
20.0
Velocità di scrittura, GB/s
12.0
16.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
21300
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2601
3925
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
G Skill Intl F3-1600C9-8GRSL 8GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Segnala un bug
×
Bug description
Source link