RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Confronto
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
37
Intorno 32% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.1
9.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.6
7.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
37
Velocità di lettura, GB/s
12.1
9.5
Velocità di scrittura, GB/s
8.6
7.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2045
1949
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Confronto tra le RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
King Tiger Technology Tigo-X3-3200MHz-8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2133C10 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
‹
›
Segnala un bug
×
Bug description
Source link