RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
37
Rund um 32% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.1
9.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.6
7.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
37
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.1
9.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.6
7.7
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2045
1949
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB RAM-Vergleiche
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link