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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Gesamtnote
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
58
Rund um 52% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
6.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.8
12.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
8500
Rund um 2.26 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
58
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.7
13.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
6.7
Speicherbandbreite, mbps
8500
19200
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1988
1740
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
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Kingston KVR533D2N4 512MB
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Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
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