RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
58
Wokół strony 52% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.5
6.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.8
12.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
8500
Wokół strony 2.26 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
58
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
13.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
6.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
19200
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
1740
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link