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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Compara
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
37
En 32% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.1
9.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.6
7.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
37
Velocidad de lectura, GB/s
12.1
9.5
Velocidad de escritura, GB/s
8.6
7.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2045
1949
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
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