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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Confronto
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Punteggio complessivo
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
62
Intorno 53% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.9
16.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.0
7.0
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
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Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
29
62
Velocità di lettura, GB/s
16.9
16.7
Velocità di scrittura, GB/s
12.0
7.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
19200
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2601
1808
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
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