RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Comparar
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Pontuação geral
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
62
Por volta de 53% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.9
16.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.0
7.0
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Relatar um erro
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
29
62
Velocidade de leitura, GB/s
16.9
16.7
Velocidade de escrita, GB/s
12.0
7.0
Largura de banda de memória, mbps
19200
19200
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2601
1808
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Comparações de RAM
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link