RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Confronto
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Punteggio complessivo
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
37
Intorno 22% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.9
14
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.0
9.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Segnala un bug
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
29
37
Velocità di lettura, GB/s
16.9
14.0
Velocità di scrittura, GB/s
12.0
9.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
19200
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2601
2327
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link