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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Confronto
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Punteggio complessivo
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
17.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,622.0
12.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
77
Intorno -166% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
29
Velocità di lettura, GB/s
3,405.2
17.4
Velocità di scrittura, GB/s
2,622.0
12.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
763
3113
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Essencore Limited IM4AGS88N24-FFFHA0 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
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