RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
12.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
77
Wokół strony -166% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
29
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3113
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HYMP525F72CP4D3-Y5 2GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
AMD R748G2400S2S 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link