RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
12.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
77
Wokół strony -166% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
29
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3113
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link