RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gesamtnote
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
17.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
12.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
77
Rund um -166% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
77
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,405.2
17.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
12.8
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
763
3113
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Ramaxel Technology RMUA5180ME78HBF-2666 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link