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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Confronto
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
32
Intorno 25% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
17000
Intorno 1.13% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.5
15.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.6
11.0
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
24
32
Velocità di lettura, GB/s
15.5
16.5
Velocità di scrittura, GB/s
11.0
11.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
17000
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2445
2920
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
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