RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Porównaj
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
32
Wokół strony 25% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.6
11.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
32
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
11.0
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2445
2920
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C14 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 9HTF3272Y-40EB2 256MB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link