Confronto tra le RAM Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB

Punteggio complessivo

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

24 35

Intorno 31% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s

15.5 10

Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

11.0 7.9

Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

19200 17000

Intorno 1.13% larghezza di banda superiore

Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB

Elenco completo delle specifiche tecniche

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock

15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

2445 2200

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns