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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
総合得点
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
24
35
周辺 31% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
15.5
10
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
11.0
7.9
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
17000
周辺 1.13% 高帯域
考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
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仕様
技術仕様の完全リスト
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
24
35
読み出し速度、GB/s
15.5
10.0
書き込み速度、GB/秒
11.0
7.9
メモリ帯域幅、mbps
19200
17000
Other
商品説明
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2445
2200
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