RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Confronto
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB vs Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
35
Intorno 31% latenza inferiore
Motivi da considerare
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.6
15.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.1
11.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
19200
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
24
35
Velocità di lettura, GB/s
15.5
17.6
Velocità di scrittura, GB/s
11.0
12.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
25600
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2445
3221
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16XR 16GB
Mushkin 991586 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston KHX3000C16D4/32GX 32GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Segnala un bug
×
Bug description
Source link