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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Comparar
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB vs Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Pontuação geral
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
35
Por volta de 31% menor latência
Razões a considerar
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.6
15.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.1
11.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
35
Velocidade de leitura, GB/s
15.5
17.6
Velocidade de escrita, GB/s
11.0
12.1
Largura de banda de memória, mbps
19200
25600
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2445
3221
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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