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Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Confronto
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
28
Intorno 18% latenza inferiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.6
13.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.4
9.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
23
28
Velocità di lettura, GB/s
13.6
18.6
Velocità di scrittura, GB/s
9.4
15.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2096
3519
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0. 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
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