RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Comparar
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
28
Por volta de 18% menor latência
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.6
13.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.4
9.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
23
28
Velocidade de leitura, GB/s
13.6
18.6
Velocidade de escrita, GB/s
9.4
15.4
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2096
3519
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0. 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link