RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Confronto
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Punteggio complessivo
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
26
Intorno 12% latenza inferiore
Motivi da considerare
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.5
13.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.2
9.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
23
26
Velocità di lettura, GB/s
13.6
15.5
Velocità di scrittura, GB/s
9.4
10.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2096
2486
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0. 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
SK Hynix HMT325S6EFR8A-PB 2GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link