RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Сравнить
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB против Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
26
Около 12% меньшая задержка
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.5
13.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.2
9.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
23
26
Скорость чтения, Гб/сек
13.6
15.5
Скорость записи, Гб/сек
9.4
10.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2096
2486
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0. 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link