RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Сравнить
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
6
12.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
45
Около -88% меньшая задержка
Выше скорость записи
6.3
2,935.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
24
Скорость чтения, Гб/сек
6,336.8
12.7
Скорость записи, Гб/сек
2,935.8
6.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1144
2256
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Сравнения RAM
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB Сравнения RAM
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Avant Technology J642GU42J7240NF 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link