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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Confronto
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
6
12.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
45
Intorno -88% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
6.3
2,935.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
24
Velocità di lettura, GB/s
6,336.8
12.7
Velocità di scrittura, GB/s
2,935.8
6.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1144
2256
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Confronto tra le RAM
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB Confronto tra le RAM
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
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Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
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G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
Kingmax Semiconductor KSCE88F-B8MO5 2GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
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