Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB

Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB

Punteggio complessivo
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Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB

Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB

Punteggio complessivo
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB

Differenze

  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    17.5 left arrow 13.6
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    14.6 left arrow 9.4
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    21300 left arrow 10600
    Intorno 2.01 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    23 left arrow 23
  • Velocità di lettura, GB/s
    13.6 left arrow 17.5
  • Velocità di scrittura, GB/s
    9.4 left arrow 14.6
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • Descrizione
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2096 left arrow 3260
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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