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Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
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Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
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Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.5
13.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.6
9.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
23
23
Velocidade de leitura, GB/s
13.6
17.5
Velocidade de escrita, GB/s
9.4
14.6
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2096
3260
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0. 2GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
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