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Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Confronto
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB vs SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
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Motivi da considerare
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
40
Intorno -74% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.2
12.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.0
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
40
23
Velocità di lettura, GB/s
12.6
17.2
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
12.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2209
3017
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB Confronto tra le RAM
Corsair CMZ16GX3M2A1600C9 8GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
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