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Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Confronto
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB vs Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.2
13.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
41
Intorno -46% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.1
8.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
41
28
Velocità di lettura, GB/s
14.2
13.2
Velocità di scrittura, GB/s
8.9
9.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2412
1989
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS8G3D1609DS1S00. 8GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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